BMW Neue Klasse 用上 ROHM SiC：800V 電驅「損耗 −40%」先看清比較基準

重點先講：ROHM 於 9/17 確認，自家 SiC MOSFET 已用在 BMW 第六代 eDrive（Neue Klasse）的電驅系統。BMW 官方數字：相較 Gen5，電驅能量損耗 −40%、成本 −20%、重量 −10%，整車效率約 +20%。但要先講清楚：−40% 量的是「EESM＋ASM 整套電驅」，不是單一逆變器；ROHM 也沒說晶片裝在哪一顆逆變器裡。

發生了什麼

ROHM 德國子公司發布新聞稿，引述總裁 Wolfram Harnack：其 SiC MOSFET 已整合進 BMW Gen6 電動車。稿中只說晶片支援電驅的「關鍵電力電子功能」，未揭露元件系列、耐壓、封裝或數量，也沒提任何效率數字。

BMW 端：後軸 EESM 的逆變器採 800V 與 SiC，完全整合進馬達殼體，由 BMW 自研、在奧地利 Steyr 廠潔淨室自製，運作策略也重新調校。首款 iX3 50 xDrive 可用電量 108.7 kWh、WLTP 最高 805 km、DC 最高 400 kW，10–80% 需 21 分鐘。

供應鏈方面：onsemi 2023 年與 BMW 簽的 SiC 長約，標的是 400V 電驅；Infineon 在 Neue Klasse 供的是 MCU、乙太網路、電源 IC 與 eFuse。ROHM 另與 Vitesco（現併入 Schaeffler）有逾 10 億美元、至 2030 年的 SiC 長約，但沒有資料把它連到 BMW；BMW 逆變器自研自製，不是典型 Tier 1 模式。目前沒有公開資料顯示其他廠商供應 Gen6 牽引逆變器的 SiC，但 ROHM 是否為唯一來源，同樣未證實。

工程一語：SiC 省的是逆變器的開關損耗與輕載導通損耗；BMW 的 −40% 還包含馬達、冷卻、傳動與前軸改用 ASM，不能全記在晶片頭上。

工程向拆解

1）800V 下，SiC 贏 IGBT 在哪
800V 母線一般選 1200V 級元件，但 BMW 與 ROHM 都沒公布耐壓（待核）。IGBT 關斷有拖尾電流，開關損耗隨母線電壓與頻率上升。SiC MOSFET 是單極元件，沒有拖尾；導通呈電阻特性，沒有 IGBT 的固定膝點電壓，所以在市區、巡航這類部分負載區間優勢最大，而這正是測試循環最常停留的工況。代價是高 dv/dt 帶來的 EMI、馬達絕緣與軸承電流壓力，以及較高的晶片成本。Gen5 用什麼元件，BMW 沒明講。

2）逆變器進馬達殼：換到什麼、付出什麼
整合後相線變短、少了接頭，寄生電感下降，有利 SiC 高速開關。代價是逆變器與馬達共用熱環境與振動。BMW 說油冷、水冷系統全部重新設計，且逆變器是效率提升的「最大貢獻者」，但沒給佔比。SiC 省下的熱，可以換成更小的散熱結構，或更高的持續輸出；BMW 選了哪一邊，沒有公開。

3）損耗 −40% 怎麼變成續航與充電
電驅損耗少，同電池跑更遠，或同續航用更小電池。但 BMW 宣稱的續航與充電速度各 +30%，電池（圓柱電芯能量密度 +20%）與能源管理都有份。400 kW 快充主要靠 800V 電池與熱管理；牽引逆變器不在 DC 快充主路徑上，SiC 對充電的直接貢獻有限。iX3 能用 400V 樁，靠的是電池端的切換矩陣。

還缺什麼（待核）

• 元件規格：ROHM 世代、耐壓、裸晶或模組、封裝——待核。
• 用在哪：後軸 EESM 逆變器、前軸 ASM 逆變器，或 OBC／DC-DC——待核。
• 供貨路徑：直供 BMW Steyr，或經模組廠；是否單一來源——待核。
• −40% 的基準：量測工況或循環、比較的 Gen5 車型、是否含傳動——待核。
• Gen5 元件：業界普遍認為是 Si IGBT，BMW 未明說——待核。

想看 SiC 與 IGBT 損耗怎麼逐項算，可以到 YouTube @Vkinng 或 Vkinng World 找對應的拆解。

你認為 800V 平台的效率紅利，主要來自 SiC 晶片，還是來自把逆變器、馬達、冷卻一起重新設計？

來源：ROHM 新聞稿（2026-09-17）、Semiconductor Today、Charged EVs、BMW Group Gen6 電驅新聞稿（2025-02-21）、BMW Steyr 量產新聞稿、BMW iX3 媒體資料（2025-09）、onsemi 新聞稿（2023-03-06）、Infineon 新聞稿（2026-02）。未證實項標「待核」。
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